[发明专利]电子模拟开关有效
| 申请号： | 98807331.5 | 申请日： | 1998-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1136656C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | D·J·米勒斯 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永;李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 一种形成于半导体衬底上的模拟开关，包括：输入和输出端口(204，205)；第一增强型MOS晶体管(201)，形成在衬底材料的隔离阱中，其栅极(G)被连接以接收控制信号(207)，其导电沟道的一端(S)及其阱(W)连接输入端口(204)。第二增强型MOS晶体管(202)，形成在衬底(50)中的隔离阱中，其导电沟道的一端(S)及其阱连接输入端口(204)，其栅极(G)连接第一晶体管(201)导电沟道(D)的另一端。第三增强型MOS晶体管(203)，形成在衬底中的隔离阱中，其栅极(G)被连接以接收所述控制信号的补码(208)，其导电沟道(D，S)连接在输出端口(205)和第二晶体管(202)导电沟道的另一端(D)之间，其阱(W)连接开关的电源线(0V)之一。控制装置(210)，连接到第二晶体管(202)的栅极(G)，用于保持第二晶体管(202)与第一晶体管(201)处于相反状态。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 模拟 开关 | ||
【主权项】：
1.一种形成于半导体衬底(50)上的模拟开关，包括：第一和第二电源端口，分别用于连接到第一和第二电源线，第一电源线相对于第二电源线为正；输入端口(204)和输出端口(205)；第一增强型MOS晶体管(201)，形成在衬底材料的隔离阱中，其栅极(G)被连接以接收控制信号(207)，其导电沟道的一端(S)及其阱连接输入端口(204)；第二增强型MOS晶体管(202)，形成在衬底(50)中的隔离阱中，其导电沟道的一端(S)及其阱连接输入端口(204)，其栅极(G)连接第一晶体管(201)导电沟道的另一端(D)；第三增强型MOS晶体管(203)，形成在衬底(50)中的隔离阱中，其栅极(G)被连接以接收所述控制信号的补码信号(208)，其导电沟道的两端连接在输出端口(205)和第二晶体管(202)导电沟道的另一端(D)之间，其阱连接开关的第一或第二电源端口；以及控制装置(210)，连接到第二晶体管(202)的栅极(G)，用于保持第二晶体管(202)与第一晶体管(201)处于相反状态，控制装置包括增强型MOS晶体管(211)，该增强型晶体管(211)的栅极(G)被连接以接收控制信号，该增强型晶体管(211)的导电沟道的两端连接在所述一个电源端口和第二晶体管(202)的栅极之间。
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