[发明专利]用来洗涤硅片的方法无效
| 申请号： | 98807500.8 | 申请日： | 1998-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1265223A | 公开（公告）日： | 2000-08-30 |
| 发明（设计）人： | 池田清利;黑田清 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在蚀刻处理之后用来洗涤硅片的方法,包括步骤(a)使用洗涤重整溶液使蚀刻之后的硅片经受洗涤和重整,和(b)使用一种氧化膜形成溶液在硅片表面上形成氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 洗涤 硅片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在蚀刻处理之后用来洗涤硅片的方法，包括步骤：(a)使用洗涤重整溶液使蚀刻之后的硅片经受洗涤和重整，和(b)使用一种氧化膜形成溶液在硅片表面上形成氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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