[发明专利]氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 98807519.9 | 申请日： | 1998-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1142598C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 中村修二;向井孝志;谷沢公二;三谷友次;丸居宏充 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本德岛*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种氮化物半导体元器件，在用来作为LD和LED元件的氮化物半导体元器件中，为了提高输出，同时降低Vf，将N电极所形成的n型导电层作成以非掺杂氮化物半导体层夹住掺杂n型杂质的氮化物半导体层的三层层叠结构或氮化物超格子结构，n型导电层具有超过3×1018/cm3的载流子浓度，可降低电阻到不满8×10-3Ωcm。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，包括在基板上至少形成N电极的N型接触层，使电子与空穴再结合的活性层，形成P电极的P型接触层，各层由氮化物半导体形成，其特征在于还包括：由具有第1面和第2面的掺有N型杂质的氮化物半导体形成的所述N型接触层，以及分别与所述第1面和第2面连接而形成的非掺杂氮化物半导体层一起构成的三层层叠结构，所述三层层叠结构形成在缓冲层上，所述缓冲层形成在所述基板上。
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