[发明专利]生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法无效
申请号: | 98807859.7 | 申请日: | 1998-07-29 |
公开(公告)号: | CN1265712A | 公开(公告)日: | 2000-09-06 |
发明(设计)人: | 金永民;威廉·L·鲁特;李·W·费里;罗伯特·J·布朗恩;斯尔简·伊利克;毛罗·迪奥达;保罗·托西;马尔科·格博;安博托·马蒂尼 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/14 | 分类号: | C30B15/14;C30B15/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郑中军 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在直接法拉晶机中采用热屏蔽组件,用于有选择地保护半导体材料的单晶锭料,以便控制锭料单晶结构中聚集的缺陷类型和数据密度。热屏蔽组件具有一个上热屏蔽,该上热屏蔽连接到一个下热屏蔽上。上热屏蔽和下热屏蔽相互连接,并滑动式连接到一个中间热屏蔽上。下热屏蔽能够向上伸入中间热屏蔽,以便使位于拉晶机单晶生长室内部的热屏蔽组件的外形减至最小。然而,当必须控制单晶锭料的形成时,下热屏蔽可以从中间热屏蔽延伸,并向下伸入拉晶机坩埚中,以便非常靠近坩埚中熔化的半导体原材料的上表面。还公开了应用热屏蔽组件的方法。 | ||
搜索关键词: | 生长 空位 单晶硅 屏蔽 组件 方法 | ||
【主权项】:
1.在拉晶机中使用的热屏蔽组件,它围绕在拉晶机中生长的单晶锭料,以便影响单晶的冷却速率,该热屏蔽装置包括:一个上热屏蔽,它具有一个中央通道,用于这样将单晶容纳于其中,以使该上热屏蔽包围单晶,所述上热屏蔽具有连接器装置,用于将热屏蔽组件连接到拉晶机的一个提拉机构上,以便在拉晶机内部升降热屏蔽组件;一个中间热屏蔽,它具有一个中央通道,用于容纳单晶,该中央通道穿过中间热屏蔽,使该中间热屏蔽包围单晶,将中间热屏蔽做成用于拉晶机中的接触结构,以便支承拉晶机中的热屏蔽组件;一个下热屏蔽,它具有一个中央通道,用于容纳单晶,该中央通道穿过下热屏蔽,使该下热屏蔽包围单晶,下热屏蔽连接到上热屏蔽上,用于与上热屏蔽一起同时移动,并且该下热屏蔽滑动伸缩式容纳于中间热屏蔽中;上热屏蔽和下热屏蔽在拉晶机中一个下降位置和一个升起位置之间活动,在下降位置中,下热屏蔽伸到中间热屏蔽的外面并接触该中间热屏蔽,中间热屏蔽用于支承上热屏蔽和下热屏蔽,在升起位置中,下热屏蔽向上伸入中间热屏蔽,并接触中间热屏蔽,用于支承该中间热屏蔽,以便向上与上热屏蔽和下热屏蔽一起移动。
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