[发明专利]用于场发射器件的碳薄膜无效
| 申请号： | 98808023.0 | 申请日： | 1998-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1266536A | 公开（公告）日： | 2000-09-13 |
| 发明（设计）人： | 志丹·李·特尔 | 申请（专利权）人： | SI戴梦德技术公司 |
| 主分类号： | H01J1/02 | 分类号： | H01J1/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于场发射阴极的碳膜(703),是在衬底(803)上的碳膜薄层。该碳膜在1578～1620cm-1的范围内有一最大高度1/2处的全宽度为25～165cm-1的紫外喇曼带。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发射 器件 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种场发射器件，该器件包括在衬底上的碳膜层，其中该碳膜在1578～1620cm-1的范围内有紫外喇曼带，且该紫外喇曼带的最大高度的1/2处的全宽度(FWHM)为25～165cm-1。
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