[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 98808360.4 申请日: 1998-08-21
公开(公告)号: CN1267395A 公开(公告)日: 2000-09-20
发明(设计)人: 菊地正义;田口升;上田光一;渡边真 申请(专利权)人: 时至准钟表股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在半导体芯片(1a)上边,在其多个输入输出端子用电极焊盘(2)上,形成具有开口部分(3a)的绝缘膜(3),在该绝缘膜(3)上边,分别设置多个连接电极(4),使得通过开口部分(3a)与各个电极焊盘(2)接触。在该各个连接电极(4)上边设置热可塑性的树脂(5),使该树脂(5)附着或含有多个(理想的是10个以上)的导电性粒子(9),构成半导体装置(1)。在把该半导体装置装配到已形成了布线图形的基板是之际,当把该半导体装置定位为使连接电极(4)与规定的布线相对,压接到已涂敷上绝缘性树脂的基板上进行加热时,连接电极(4)和布线,借助于夹持在其间的多个导电性粒子(9)而导通。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征是:具备:设于半导体芯片上边,在该半导体芯片的多个输入输出端子用电极焊盘上分别具有开口部分的绝缘膜;在该绝缘膜上边设置的多个连接电极,使之分别通过上述各个开口部分与各个电极焊盘接触;以及分别在该连接电极上边设置的热可塑性树脂,且该各个树脂具有多个导电性粒子。
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