[发明专利]Ⅱ－Ⅵ族半导体发光器件的光吸收层有效
| 申请号： | 98808435.X | 申请日： | 1998-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1114980C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | M·A·哈泽;P·F·鲍德 | 申请（专利权）人： | 美国3M公司 |
| 主分类号： | H01S5/327 | 分类号： | H01S5/327;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国明尼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种II-VI族半导体发光器件，包括II-VI族半导体发光区和波导层。在II-VI族半导体波导层附近和有源区的外部设有光吸收层。光吸收层吸收外来辐射从而减少暗线缺陷(DLD)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 光吸收 | ||
【主权项】：
1.一种II-VI族半导体发光器件(10；50；110)，其特征在于包括：II-VI族半导体有源区(24，28，30；64，68，60；124，128，130)；可操作地耦合到有源区的II-VI族半导体波导层(22；62；122)；接近II-VI族半导体波导层并位于有源区外部的光吸收层(34；74；134)，所述光吸收层适于减少暗线缺陷的形成；以及淀积在所述光吸收层(134)上的一层(136)高折射率低损耗材料，所述层(136)邻近所述波导层，从而限定所述波导层。
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