[发明专利]绝缘栅型双极型半导体装置有效
| 申请号： | 98809194.1 | 申请日： | 1998-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1139134C | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 凑忠玄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在绝缘栅型双极型半导体装置中，为了在不损害正向电压降及开关特性的情况下扩展负载短路安全工作区，使在发射极杂质区的内部、且在发射极与非常靠近栅极的附近之间产生的电阻成为与直接与发射极接触的发射极杂质区的距离无关的预定的值。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅型双极型 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种纵向类型的绝缘栅型双极型半导体装置，具备：具有互相相对的第1和第2主表面的半导体衬底(100)；在上述半导体衬底的第1主表面上形成的第1导电类型的杂质区(5)；在上述半导体衬底的第2主表面上形成的第2导电类型的第1杂质区(3)；从内方包围上述第1导电类型的杂质区(5)、具有在上述第1主表面上露出的部分(6)的第2导电类型的第2杂质区(4，6)；通过上述第2导电类型的第2杂质区(4，6)和绝缘膜(8)形成的控制用导电体(9)；以与上述第1导电类型的杂质区(5)和上述第2导电类型的第2杂质区(6)这两者接触的方式设置的第1主电极(11)；在上述第2导电类型的第1杂质区上设置的第2主电极(10)；以及与上述控制用导电体连接的控制电极(G)，其特征在于：这样来构成上述第1导电类型的杂质区(5)，使第1导电类型的电流载体通过该第1导电类型的杂质区(5)的内部时所感受到的作为杂质区的内部电阻的全镇流电阻为0.005～0.01Ω。
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