[发明专利]具有静磁稳定软邻近层的叠层磁阻结构无效
| 申请号： | 98809370.7 | 申请日： | 1998-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1272940A | 公开（公告）日： | 2000-11-08 |
| 发明（设计）人： | 丁菊仁;薛松生;胡安·费尔南德兹;德卡斯脱罗;J·多莱西;P·J·瑞安 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及综合了邻近接合结构与叠层结构优点的磁阻(MR)传感器(100)。邻近接合设计用于SAL(108)而叠层结构用于MR单元(120)。制造MR传感器(100)的方法包括将SAL(108)淀积在隔离层(106)顶面和将间隔材料(110)淀积在SAL(108)顶面的步骤。在间隔材料(110)与SAL(108)中央区域放置掩膜(130)。将未覆盖掩膜(130)的其他区域的间隔材料(110)与SAL(108)去除。随后在去除SAL(108)与间隔材料(110)的区域淀积下层材料(112)。在下层(112)顶面淀积硬偏磁材料(114)。在传感器(100)活性区域(132)间隔材料顶面和传感器惰性区域(134,136)的硬偏磁材料(114)顶面上去除掩膜(130)并淀积MR单元(120)。在传感器无源(134,136)和活性区域(132)的MR单元(120)顶面上淀积覆盖层(122)。在传感器惰性区域(134,136)覆盖层(122)顶面放置触点(124)。在另一本方法实施例中,加入其他材料以分隔硬偏磁材料(114)从而改进了信噪比。在第一硬偏磁材料(114)之后加入低电阻率材料(116)并在低电阻率材料(116)顶面上淀积第二硬偏磁材料(118)。在去除掩膜(130)之前淀积另外的材料。一旦去除掩膜(130),则按照第一实施例制造MR传感器(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 稳定 邻近 磁阻 结构 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻读取传感器，其特征在于包括：隔离层；位于隔离层中央区域的软邻近层，隔离层的第一和第二外部区域由中央区域隔开；位于软邻近层上的间隔层；位于间隔层第一和第二外部区域上的下层，从而在下层上形成第一和第二隋性区域并在软邻近层上形成活性区域；位于第一和第二隋性区域的下层上的硬偏磁区域；位于间隔层和硬偏磁区域上的磁阻层，它在活性区域和第一和第二隋性区域上延伸；以及位于活性区域和第一和第二隋性区域磁阻层上的覆盖层。
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