[发明专利]控制硅晶体生长的方法和系统无效
| 申请号： | 98809673.0 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1272147A | 公开（公告）日： | 2000-11-01 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·H·福尔赫夫 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;G01B11/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种确定从装在加热坩埚中的硅熔体中拉出的硅单晶直径的系统和方法。该熔体的表面具有看起来是与拉出晶体相邻的明亮区域的弯液面。用照相机生成包括与晶体相邻的明亮区域部分的坩埚内部的图像。图像处理回路确定图像中在对应于晶体大致中心位置上的具有椭圆形状的中央窗口区域,并把图像处理为像素值函数以检测在中央窗口区域内的边界。图像处理回路进一步对检测到的边界进行分组以确定图像中对应于晶体的目标,确定已定目标的尺寸,并确定作为已定目标的已定尺寸函数的大致直径。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 晶体生长 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种与生长硅单晶的装置结合使用的方法，该晶体生长装置具有装有硅熔体的加热坩埚，晶体从该熔体中拉出；当晶体从熔体拉出时所述熔体的表面具有看起来是与晶体相邻的明亮区域的弯液面；该方法用于确定晶体的直径，包括以下步骤：用照相机生成包括与晶体相邻的明亮区域部分的坩埚内部的图像，该图像包括多个像素，每一个所述像素都具有表示图像光学特性的值；确定在图像中对应于晶体大致中心位置上的中央窗口区域，所述中央窗口区域具有椭圆形状；把图像处理为像素值函数，以检测中央窗口区域内的边界；对检测到的边界进行分组以便确定在图像中与晶体对应的目标；确定已定目标的尺寸；以及确定作为已定目标的已定尺寸的函数的晶体的大致直径。
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