[发明专利]通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法无效
| 申请号： | 98809723.0 | 申请日： | 1998-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1272957A | 公开（公告）日： | 2000-11-08 |
| 发明（设计）人： | K·赫尔兹莱恩;R·鲁普;A·维登霍菲 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;C30B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 至少将一个经过注入掺杂的碳化硅半导体在气流中进行热修复的方法,其特征在于将该至少一个磁化硅半导体(10i)置入几乎不含碳的气流(12)中。并且将该至少一个碳化硅半导体(10i)用一个托盘(16)放在容器(13)中;放置碳化硅半导体(10i)用的托盘(16)和容器(13)至少与气流(12)发生接触的部分至少是用一种金属或者至少是用一种金属化合物制成的。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 注入 掺杂 制成 碳化硅 半导体 修复 | ||
【主权项】：
1.至少将一个经过注入掺杂的碳化硅半导体在气流中进行热修复的方法，其特征在于：将至少一个碳化硅半导体(10i)置入几乎不含碳的气流(12)中。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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