[发明专利]存储单元系统有效
申请号: | 98809905.5 | 申请日: | 1998-09-28 |
公开(公告)号: | CN1134014C | 公开(公告)日: | 2004-01-07 |
发明(设计)人: | S·施瓦兹尔;L·里施 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一个存储单元系统具有字线(WL)和垂直于字线伸展的位线(BL1、BL2)。具有磁阻效应的存储单元(S1、S2)是分别连接在字线和位线之一之间的。存储单元(S1、S2)是叠置地设在至少两个层中的。 | ||
搜索关键词: | 存储 单元 系统 | ||
【主权项】:
1.存储单元系统,-其中,规定有多条相互平行伸展的字线和多条相互平行伸展的位线,其中,字线垂直于位线伸展,-其中,规定有磁阻效应的层结构的存储单元,这些存储单元是分别设在字线之一和位线之一之间的,-其中,存储单元是在至少两个相互叠置的层中设置的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司,未经因芬尼昂技术股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98809905.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非水系电解液电池
- 下一篇:超细碳化钛微粉气相合成工艺