[发明专利]用多晶硅炉料制备硅熔体的方法无效
| 申请号： | 98810175.0 | 申请日： | 1998-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1146678C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | J·D·霍尔德 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用多晶硅炉料制备硅熔体的方法，该硅熔体用于按照丘克拉斯基方法制取单晶硅锭。制备硅熔体所用的坩埚为底、侧壁结构，其中心线基本上平行于侧壁并截过底面几何中心点，半径为从中心线到侧壁的距离。本方法中，将块状多晶硅装入坩埚形成碗状炉料，其中炉料的初始形状是，通常沿径向从中心线向上向外朝着侧壁方向倾斜至坡顶，然后从坡顶向下向外倾斜至侧壁。加热碗形块状多晶硅炉料使之部分熔融，再在其上加入粒状多晶硅，形成块状和粒状多晶硅的混合料；继续加热混合多晶硅炉料使其形成硅熔体，而位于硅熔体表面上方的未熔块状多晶硅，在粒状多晶硅快速熔融并释放出氢时为可能飞溅的熔融硅导流。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 炉料 制备 硅熔体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备用于按照丘克拉斯基方法生长单晶硅锭的硅熔体的方法，制备该硅熔体的坩埚具底、侧壁、基本上平行于侧壁并截过底面几何中心点的中心线、和从中心线到侧壁的半径，本方法包括：将块状多晶硅装入坩埚以形成碗形的炉料，其中炉料装载通常先沿径向从中心线向上向外朝着侧壁方向倾斜至坡顶，然后从坡顶向下向外倾斜至侧壁；在碗状的块状多晶硅炉料上加入粒状多晶硅，形成块状和粒状多晶硅的混合炉料；加热混合多晶硅炉料形成硅熔体。
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