[发明专利]应用等离子体密度梯度来产生粒子流的装置和方法无效

专利信息
申请号: 98810182.3 申请日: 1998-10-15
公开(公告)号: CN1275938A 公开(公告)日: 2000-12-06
发明(设计)人: 怀恩·L·约汉逊 申请(专利权)人: 东京电子株式会社
主分类号: B23K10/00 分类号: B23K10/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种装置和方法,其应用具有密度梯度的等离子体来加速离子,由此产生高能离子流和中性粒子流。通过给等离子体施加非均匀磁场或通过给等离子体提供非均匀RF功率来产生等离子体梯度。由于在等离子体内的电压(即,等离子体电势)取决于等离子体密度,等离子体梯度在等离子体内产生电场,该电场可以用于比如朝基片加速离子。这种技术产生的加速粒子比常规系统产生的加速粒子的能量低,由此对要处理的工件的损坏更小。此外,由于通过该装置加速的离子速度比通过常规系统加速的离子的速度低,因此大部分离子在撞击到正在处理的工件上之前有足够的时间来与自由电子复合。由于中性粒子比离子产生的损坏更小,因此进一步减少加速粒子束引起的损坏量。因此,提高了产量,降低了生产成本,并且能够提高印刷电路的分辨率,由此改善了性能并降低在基片上制造的电路的成本。
搜索关键词: 应用 等离子体 密度 梯度 产生 粒子 装置 方法
【主权项】:
1.一种产生加速粒子的装置,其包括:室;在所说的室内产生等离子体的等离子体发生器;和用于产生所说的等离子体的密度梯度从而加速粒子的装置。
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