[发明专利]制造元件的方法无效
申请号: | 98810712.0 | 申请日: | 1998-10-02 |
公开(公告)号: | CN1139974C | 公开(公告)日: | 2004-02-25 |
发明(设计)人: | 谢晓明;沈忠哲;于尔根·弗赖塔格;弗兰克·施图布汉 | 申请(专利权)人: | 上海新代车辆技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;H01L21/60;H01L21/71;H01L21/98 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张兆东 |
地址: | 中国上海长*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 制造一种在两个元件部分之间有连接层的元件的方法,其中:第一元件部分以其设有第一金属镀层的第一接触侧放在第二元件部分的设有第二金属镀层的第二接触侧上,两个金属镀层之一的外表面由低熔点组成部分构成,另一金属镀层的外表面由高熔点的组成部分构成;此元件在反应持续时间期间按预定的温度过程加热到反应温度,直到在两个金属镀层之间的等温凝固反应结束并构成连接层为止;接缝持续时间在反应持续时间的开始时开始,此接缝持续时间比反应持续时间短,以及,元件部分在接缝持续时间期间被施加静态压紧力;在两个元件部分上从接缝持续时间开始起至少在部分接缝持续时间内施加振动能量,在此期间至少使其中一个元件部分沿纵向和/或横向振动。 | ||
搜索关键词: | 制造 元件 方法 | ||
【主权项】:
1.制造一种在两个元件部分(1、2)之间有连接层(3)的元件 的方法,其中 a)第一元件部分(1)以其第一接触侧(1.1)放在第二元件部分(2) 的第二接触侧(2.1)上,第一接触侧(1.1)设有第一金属镀层(1.2、 1.3、1.4)和第二接触侧(2)设有第二金属镀层(2.2、2.3),以及, 上述两个金属镀层(1.2、1.3、1.4;2.2、2.3)之一的外表面由低熔点 组成部分构成,另一金属镀层(1.2、1.3、1.4;2.2、2.3)的外表面由 高熔点的组成部分构成, b)此元件在反应持续时间(t1)期间按预定的温度过程加热到反应温 度(T1),直到在第一金属镀层与第二金属镀层(1.2、1.3、1.4;2.2、 2.3)之间的等温凝固反应结束并构成连接层(3)为止, c)接缝持续时间(t2)在反应持续时间(t1)的开始时开始,此接缝 持续时间比反应持续时间(t1)短,以及,元件部分(1、2)在接缝 持续时间(t2)期间被施加静态压紧力, d)在这两个元件部分(1.2)上从接缝持续时间(t2)开始起至少在 部分接缝持续时间(t2)内施加振动能量(P1),在此期间至少使其 中一个元件部分(1、2)沿纵向和/或横向振动。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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