[发明专利]快闪存储器装置中的可编程存取保护无效

专利信息
申请号: 98811192.6 申请日: 1998-11-04
公开(公告)号: CN1129916C 公开(公告)日: 2003-12-03
发明(设计)人: K·D·马莱斯基;J·P·沃德;M·J·斯坦梅茨;D·C·克罗默;G·普鲁厄特 申请(专利权)人: 爱特梅尔股份有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G06F7/00;G06F12/00
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沈昭坤
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种存储装置(100)包含具有用于控制对其的存取的第一存取控制位(202,204)的存储器阵列(102)。第二组存取控制位(104)来控制对第一存取控制位的写存取。将存储器阵列分成存储块,每一块具有相应的存取控制位。至少一个这种块(BLKO)再分成页,每一页具有相应的控制位。
搜索关键词: 闪存 装置 中的 可编程 存取 保护
【主权项】:
1.一种存储装置,具有:存储器阵列(102);耦合到所述存储器阵列,用于控制对所述存储器阵列的存取的第一控制装置(120)用于接收和存储存储器存取控制信息的第一存储装置(202,204),所述第一控制装置(120)适合于根据所述第一存储装置的容量,提供对所述存储器阵列的存取;其特征在于包括:耦合到所述第一存储装置,用于控制对所述第一存储装置(202,204)的写存取的第二控制装置(205a-205n,207)用于接收和存储修改控制信息的第二存储装置(104),所述第二控制装置(205a-205n,207)适于根据第二存储装置(104)的逻辑状态,提供对第一存储装置(202,204)的写存取;用于接收外部信号,并耦合以响应于接收到外部信号而将所述第二存储装置(104)设置为第一逻辑状态的第一引线装置(WP2)和用于接收外部信号,并耦合以响应于接收到外部信号而阻止对所述存储器阵列(102)的所有写存取的第二引线装置(WP1)并且其中,第一存储装置(202,204)是位存储器,第二存储装置(104)是具有对应于所述第一存储装置(202,204)中的每一位的位的位存储器,并且所述第二控制装置适于只有在所述第二存储装置(104)中的相应的位处于第二逻辑状态时,才允许对所述第一存储装置中的位进行写存取。
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