[发明专利]氮化镓外延层的制造方法有效
| 申请号： | 98811437.2 | 申请日： | 1998-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1279733A | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | B·比尤蒙特;P·吉巴尔特;J－C·古劳姆;G·纳塔夫;M·维尔;S·哈佛兹 | 申请（专利权）人： | 国家科研中心 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L33/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓(GaN)外延层的制造方法,其特征在于该方法包括在基体上沉积作为屏蔽层使用的电介质层,在外延沉积的条件下使用氮化镓修复屏蔽基体,以便诱导氨化镓花样沉积和所述花样的侧向各向异性生长,侧向生长继续进行直到不同花样聚结为止。可以在现场外通过蚀刻电介质或就地通过处理基体实施氮化镓花样沉积方法,该处理过程包括用厚度为埃数量级的电介质薄膜覆盖基体。本发明还涉及能够采用该方法得到的氮化镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、氮化镓(GaN)外延层的制造方法，其特征在于该方法包括在基体(1)上沉积作为屏蔽层使用的电介质层(3)，在采用外延沉积的条件下，使用氮化镓修复屏蔽的基体，以便诱导氮化镓花样沉积和所述花样的侧向各向异性生长(6)，侧向生长继续进行直到不同花样聚结为止。
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