[发明专利]磁能储器无效
| 申请号： | 98811469.0 | 申请日： | 1998-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1279809A | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | P·霍姆贝里;U·弗洛姆;C·萨瑟 | 申请（专利权）人： | ABB股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H02J3/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周备麟,章社杲 |
| 地址： | 瑞典韦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SMES装置,它包括与一个电压源串联和由电气上绝缘的超导电缆(12)绕成的线圈(1)。本发明还涉及包括一个SMES装置的高电压系统,在该高电压系统中,该SMES装置具有由围绕着导电体装置同心配置的电气绝缘装置进行抗高电压绝缘的超导装置。 | ||
| 搜索关键词： | 磁能 | ||
【主权项】：
1．一种SMES装置，它包括：一个与电压源(2)，例如直流电压源，串联，并由具有使用中保持在超导电缆的临界温度(Tc)以下的低温温度下，并被电气绝缘装置(20～22)包围的超导装置(14)的超导电缆(12)绕成的线圈(1)；和用于使该线圈(1)短路的开关装置(3)；其特征为，所述电气绝缘装置包括一个由半导电材料制成，与所述超导装置电气上连接的内层(20)；由半导电材料制成，沿着其长度处在可控制的电位下的外层(21)；和安置在所述内层(20)和外层(21)之间的由固体电气绝缘材料制成的一个中间层(22)。
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