[发明专利]硅基导电材料及其制造方法无效
| 申请号： | 98811697.9 | 申请日： | 1998-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1280707A | 公开（公告）日： | 2001-01-17 |
| 发明（设计）人： | 春山俊一;山下治;贞富信裕;西乡恒和 | 申请（专利权）人： | 住友特殊金属株式会社;春山俊一 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L21/44;H01L35/34;H01L29/43;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在室温下,其电阻率为10－3(Ω.m)或者更低并且是基于半导体硅的硅基导电材料,而且还能够进行生产并且进行处理,这在以前是不能实现的。通过在硅中添加量相对较多的各种元素,可以获得电阻率为10－6(Ω.m)或者更低的导电材料,这个电阻率对导体来说是很普通的。通过离子束注入技术和成形技术,可以以一种所需图案在一种半导体硅衬底上形成导电材料。其形状不仅可以是一种衬底状,一种棒状,或者一种线状,而且还可以是分布在一种树脂或者玻璃中的、很细的颗粒形状,它可以用于很多需要导电的应用中,包括需要一种导电片材料的应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种硅基导电材料，其中所述硅包含含量至少为0.001原子％的至少一种其它元素，并且其电阻率ρ不大于1×10-3(Ω.m)。
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