[发明专利]改进晶体管模型以及采用该模型的电路模型的方法与装置无效
| 申请号： | 98811726.6 | 申请日： | 1998-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1111813C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | H·赫尔姆格伦;L·－P·雅各布森;H·舍丁;A·埃克伦德 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/15 | 分类号： | G06F17/15;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用厄里电压的变化作为集电极/发射极偏压的函数来改进双极型晶体管模拟的系统。模拟是在标准的Gummel-Poon模型的基础上进行的，其改进在于将恒定的厄里电压代之以分成几个区域的厄里电压。调节厄里电压使之与测得的双极型晶体管厄里电压特性的实际变化相吻合。每个区域的厄里电压用于计算双极型晶体管的基区电荷(qb)，然后用基区电荷模拟双极型晶体管的性能。这些区域可通过选择边界条件来连接。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 晶体管 模型 以及 采用 电路 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种通过改进基区电荷(qb)表达式来改进双极型晶体管模型的方法，在这里基区电荷的表达式描述了双极型晶体管的厄里电压是如何随至少一个变量(x)而变化的，特征在于以下步骤：-测量作为所说变量的函数的厄里电压，-对厄里电压的表达式建模，以减小双极型晶体管的测量特性与模型特性的偏离，-根据厄里电压的表达式计算改进的基区电荷(qb)的表达式。
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