[发明专利]利用不溶阳极进行硅晶片的铜金属化

摘要

提供一种用不溶阳极(13)钢电镀硅晶片的镀敷系统(10)和方法,其中电解液被搅拌,或较好是通过系统的电镀箱(11)循环,在满足预定的操作参数时,一部分电解液从系统中排出。在电解液排出的同时或之后,按与从系统中排出的电解液基本相同的量,向镀铜系统(10)中添加铜浓度大于所排出部分的铜浓度的含铜溶液,平衡已镀敷铜的量和排出流中排出的铜量。在优选方法和系统中,提供电解液容纳箱(19),该箱用作循环电解液的容器。添加含铜溶液和排出加工电解液的步骤较好也有容纳箱(19)参与。优选的设备较好是圆筒形的,具体构成为使循环的电解液在阳极(13)附近进入,在阴极(12)附近排出,该设备出口围绕电镀箱(11)的外围具有基本连续的开口,以便进入箱中的电解液基本均匀地流过阴极(12)的表面。阳极(13)较好是圆形的,具有中央开口(13a),进入的电解液从中穿过。

主权项

1、一种铜镀敷硅晶片半导体衬底的电解方法，包括：提供一种镀敷系统，包括铜镀敷设备，该设备包括一箱体，容纳有铜电解液及要镀敷的作为阴极的衬底和隔开的不溶阳极；搅拌箱体中的铜电解液，同时加电流，电镀阴极；测量镀敷系统的至少一个操作参数；在满足预定的操作参数时，从系统中排出部分电解液；在电解液排出的同时或之后，给系统添加铜浓度高于所排出电解液的铜浓度的含铜溶液，添加的量足以使系统中电解液的铜浓度增大到预定值，并保持系统中电解液的体积基本不变。