[发明专利]离子轰击式石墨电子发射体无效
| 申请号： | 98812163.8 | 申请日： | 1998-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1281585A | 公开（公告）日： | 2001-01-24 |
| 发明（设计）人： | 小D·I·阿梅;R·J·布查德;S·I·U·沙 | 申请（专利权）人： | 纳幕尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,钟守期 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了带有图案的离子轰击式石墨电子发射体以及用于生产它们的方法。电子发射体是通过在基片上形成由石墨颗粒和玻璃组成的复合物层、然后用离子束轰击该复合物而产生的。这种电子发射体用在制成平板型显示器的场致发射体阴极组件中。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 轰击 石墨 电子 发射 | ||
【主权项】：
权利要求书1、一种用于生产场致发射电子发射体的方法，该方法包括如下步骤；(a)形成一层复合物层，该复合物层包含在基片上的石墨颗粒和玻璃，其中所说的玻璃附着到所说基片上并且附着到所说的石墨颗粒部分上，借此使所说的石墨颗粒相互结合并且结合到所说基片上，并且其中所说复合物层的表面面积的至少50％由所说石墨颗粒部分组成；和(b)用离子束轰击在(a)中形成的复合物层的表面，轰击时间足以在所说石墨颗粒上形成碳须，所说的离子束包括氩、氖、氪、或氙的离子。
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