[发明专利]生长非常均匀的碳化硅外延层在审
| 申请号： | 98812328.2 | 申请日： | 1998-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1282386A | 公开（公告）日： | 2001-01-31 |
| 发明（设计）人： | O·C·E·科迪纳;K·G·伊尔温;M·J·派斯雷 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/36;C23C16/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种改良的化学气相沉积方法,该方法能增强碳化硅外延层的均匀性并且对得到较厚外延层特别有用。该方法包括将反应器加热到碳化硅原料气体在反应器内基体上形成外延层的温度;和让原料气体和载气流过加热的反应器在基体上形成碳化硅外延层,同时载气包括氢气和第二种气体的混和气体,其中第二种气体的热导要低于氢气热导,使得原料气体在通过反应器时它的消耗比使用单一氢气作载气时的更低。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 非常 均匀 碳化硅 外延 | ||
【主权项】：
1．一种改良的化学气相沉积方法，它增强碳化硅外延层的均匀性并且对得到较厚外延层特别有用，该方法包括：将反应器加热到碳化硅原料气体在反应器内基体上形成外延层的温度；和让原料气体和载气流过加热的反应器在基体上形成碳化硅外延层；其特征在于载气包括氢气和第二种气体的混和气体，其中第二种气体的热导要低于氢气热导，使得原料气体在通过反应器时它的消耗比使用单一氢气作载气时的更低。
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