[发明专利]半导体二极管有效
| 申请号： | 98812512.9 | 申请日： | 1998-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1163975C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | W·克勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体二极管，有两个形成阴极(20)和阳极(10)的电极。该二极管的特征在于，至少有一个电极是弯曲的，另一个电极的表面面积最大为另一个电极的宽度与弯曲电极内边长度的乘积的20％。本发明还涉及一种电路，在其结构中包括一个半导体二极管，有两个形成阴极(20)和阳极(10)的电极，该二极管的特征在于，至少有一个电极是弯曲的，另一个电极的表面面积最大为另一个电极的宽度与弯曲电极内边长度的乘积的20％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体二极管，具有构成一个阴极的内电极(130)和一个阳极的弯曲的外电极(110)，其特征在于，所述内电极(130)的表面面积最多为所述外电极(110)的表面面积的20％，所述内电极(130)的最大表面面积为15μm2，并且所述内电极(130)和所述外电极(110)之间的距离范围(120)的宽度在0.4μm和1.3μm之间。
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