[发明专利]半导体衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 98812986.8 | 申请日： | 1998-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1285955A | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 竹内哲也;天野浩;赤崎勇 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20;H01L29/201 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造基于Ⅲ族半导体的半导体器件的衬底(30,60)及其制造方法。根据本发明的衬底包括基底(31)第一缓冲层(32,63)和第一单晶层(33,65)。第一缓冲层(32,63)包括在低于Ⅲ族材料结晶温度的温度下淀积在基底(31)上的Ⅲ族材料。在淀积了Ⅲ族材料后,通过将缓冲层加热到高于所说Ⅲ族材料结晶温度的温度,使Ⅲ族材料结晶,形成单晶。第一单晶层(33,65)包括在高于Ⅲ旋半导体材料结晶温度的温度下淀积于第一缓冲层(32,63)上的Ⅲ－Ⅴ半导体材料。在本发明的一个实施例中,在第一单晶层(33,65)上,淀积第二缓冲层(34)和第二单晶层(35)。第二缓冲层(34)包括在低于Ⅲ族材料结晶温度的温度下淀积在第一单晶层(33,65)上的Ⅲ族材料。然后,通过将该缓冲层加热到高于Ⅲ族材料结晶温度的温度,使Ⅲ族材料结晶,形成单晶。第二单晶层包括在高于Ⅲ族半导体材料结晶温度的温度下淀积于第二缓冲层(34)上的Ⅲ－Ⅴ族半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造基于Ⅲ族半导体的半导体器件的衬底(30，60)，所说衬底包括：基底(31)；第一缓冲层(32，63)，所说第一缓冲层(32，63)包括在低于所说Ⅲ族材料结晶温度的温度下淀积在所说基底(31)上的Ⅲ族材料，在淀积了所说Ⅲ族材料后，通过将所说缓冲层加热到高于所说Ⅲ族材料结晶温度的温度，使所说Ⅲ族材料结晶，形成单晶；第一单晶层(33，65)，包括在高于所说Ⅲ族半导体材料结晶温度的温度下淀积于所说第一缓冲层(32，63)上的Ⅲ族半导体材料。
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