[发明专利]制造高亮度、短余辉原硅酸锌荧光体的方法无效
| 申请号： | 98813227.3 | 申请日： | 1998-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1160433C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | P·R·拉维里塞提 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59;C01B33/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种形成锰激活的硅酸锌荧光体的方法，所述荧光体具有下列经验通式：Zn(2-x)MnxSiO4，其中，0.005≤x≤0.15；所述方法包括：在低于固相反应温度的温度下热分解一种凝胶获得所说的荧光体，其中，所述凝胶用含有锌源、锰源和一种提供硅源的有机前驱体的稀溶液形成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 亮度 余辉 硅酸 荧光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成锰激活的硅酸锌荧光体的方法，所述荧光体具有下列通式：Zn(2-x)MnxSiO4 其中，0.005≤x≤0.15；所述方法包括：(a)使含有锌源、锰源和提供硅源的正硅酸四乙酯的稀溶液反应在几天内形成凝胶；(b)在能够形成干凝胶的时间内干燥和加热所述凝胶；(c)使所述干凝胶形成粉末；(d)在900-1200℃的温度下加热所述粉末2-12小时，得到所述荧光体。
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