[发明专利]用于将磁场能转换到电场能的电子线路装置

摘要

一种用于将磁场能(M)转换(W)到电场能(E)的电子线路装置(G),它包括至少一个用于磁场能(M)的第一存储元件(L),一个用于电场能(E)的第二存储元件(C),一个半导体整流元件(D)和一个电气开关元件(S)。根据本发明,该半导体整流元件(D)的半导体材料的能带宽度(VB)至少为2eV,其击穿强度(EK)至少为5*10^5V/cm。该半导体整流元件(D)的半导体材料特别包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、或金刚石(Cdia)。半导体整流元件(D)尤其是一个半导体二极管,优选是肖特基—二极管。基于本发明,半导体整流元件(D)具有较小的动态开关损耗,本发明电子线路装置可以以最小的体积应用于高工作电压和高开关频率的环境下。

主权项

1．一种用于将磁场能(M)转换(W)到电场能(E)的电子线路装置(G)，它包括至少一个用于磁场能(M)的第一存储元件(L)，一个用于电场能(E)的第二存储元件(C)，一个半导体整流元件(D)和一个电气开关元件(S)，其中，该电气开关元件(S)可以至少有第一和第二开关状态(S1，S2)，a)这些元件相互连接，使得a1)在开关元件(S)的第一开关状态(S1)，磁场能(M)能够存储在第一存储元件(L)中，以及a2)在开关元件(S)的第二开关状态(S2)，该磁场能(M)从第一存储元件(L)流向半导体整流元件(D)，并转换为第二存储元件(C)中的电场能(E)(图1)，其特征是，b)该半导体整流元件(D)的能带宽度(VB)至少为2eV，其击穿强度(EK)至少为5*10^5V／cm。(图2，图3)