[发明专利]含有晶体的材料无效
| 申请号： | 98813521.3 | 申请日： | 1998-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1124876C | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | G·J·达维斯;R·A·查普曼;A·斯特瓦特;L·K·赫德格斯;M·M·阿迪亚 | 申请（专利权）人： | 德比尔斯工业钻石部股份有限公司 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨九昌 |
| 地址： | 南非约翰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备在基体中包括晶体块(优选为金刚石晶体)的结合凝聚材料的方法。步骤包括：提供所需生长类型的晶体源，它们基本上没有宏观小平面的表面；通过使源晶体与适宜的溶剂/催化剂进行接触得到反应物料；将反应物料置于一高温/高压装置的反应区中适宜于晶体生长的高温和高压的条件下制得所述材料并从该反应区中移出，选择晶体生长的条件使得源晶体转化为发展出低米勒指数的宏观小平面的晶体。优选所用的高温和高压条件使得伍尔夫效应占据主导地位。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 晶体 材料 | ||
【主权项】：
1.一种制备在基体中包括金刚石晶体块的结合凝聚材料的方法，该方法包括以下步骤：提供所需生长类型的金刚石晶体源，它们基本上没有宏观小平面的表面；通过使源金刚石晶体与适宜的溶剂/催化剂进行接触得到反应物料；将反应物料置于一高温/高压装置的反应区中，在适宜于金刚石晶体生长的高温和高压的条件下，制得所述材料并将其从反应区中移出；选择金刚石晶体生长的条件，使得源金刚石晶体转化为发展出低米勒指数的宏观小平面的晶体；其中金刚石晶体生长所必需的过饱和推动力，主要通过源金刚石晶体的低米勒指数表面与高米勒指数表面之间的表面自由能之差产生。
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