[发明专利]自由浮动的护罩和半导体处理系统无效
申请号: | 98813641.4 | 申请日: | 1998-12-04 |
公开(公告)号: | CN1111615C | 公开(公告)日: | 2003-06-18 |
发明(设计)人: | 劳伦斯·D·巴塞洛缪;杰伊·B·德东特奈伊;克里斯托弗·A·皮博迪 | 申请(专利权)人: | 硅谷集团热系统责任有限公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 刘志平 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种保护罩和一种包括保护罩的半导体处理系统。所述护罩包括:一框架组件,它包括一对相间隔的端壁以及一对在所述端壁之间延伸并安装在该端壁上的侧壁;以及,多个护罩主体,它们由上述框架组件所承载。每个护罩主体均包括:一基体,它带有连续的单元框架;一带孔板,它由上述连续的框架所承载;一充气室,它位于上述基体与带孔板之间;以及,一气体传送装置,它用于按一定的流速将惰性气体传给上述充气室,因此,所述气体能弥散穿过带孔板。 | ||
搜索关键词: | 自由 浮动 护罩 半导体 处理 系统 | ||
【主权项】:
1、一种用于配气系统的保护罩,该保护罩包括:一框架组件,它包括一对相间隔的端壁以及一对在所述端壁之间延伸并安装在该端壁上的侧壁;多个单元护罩主体(140a,140b,140c,140d),它们由上述框架组件所承载,每个单元护罩主体(140a,140b,140c,140d)均由下列部件构成:一单体基体,它带有形成在该基体周边周围的单元框架;一带孔板,它由上述单元框架所承载;一充气室,它部分地是由上述基体与带孔板限定的;以及,一气体传送装置,它用于按一定的流速将惰性气体传给上述充气室,因此,所述气体能扩散穿过带孔板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的