[发明专利]选择性沉积铋基铁电薄膜的方法无效
| 申请号： | 98813774.7 | 申请日： | 1998-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1285007A | 公开（公告）日： | 2001-02-21 |
| 发明（设计）人： | F·欣特迈尔;B·亨德里克斯;J·R·勒德;P·范布斯基尔克;T·H·鲍姆 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;先进技术材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/04 | 分类号： | C23C16/04;C23C16/40;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,谭明胜 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请叙述一种通过选择性化学气相沉积在衬底上选择性沉积铋基铁电膜的方法。沉积过程的选择性是通过选择衬底－母体的组合得到的,与特定的工艺参数组合,能确保在某些区域的高铋沉积率和在另一些区域的低铋沉积率。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 沉积 铋基铁电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在具有绝缘和导电表面的衬底部件上选择性化学气相沉积铋基铁电薄膜的方法。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
