[发明专利]等离子体化学汽相淀积装置和制造光纤、预制棒及套管的方法以及由此制造的光纤有效
申请号: | 98813827.1 | 申请日: | 1998-12-02 |
公开(公告)号: | CN1117176C | 公开(公告)日: | 2003-08-06 |
发明(设计)人: | A·H·E·布罗伊尔斯;M·J·N·范斯特拉伦;A·H·范贝根 | 申请(专利权)人: | 等离子光纤维股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/40;C03B37/018 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘元金,杨丽琴 |
地址: | 荷兰艾恩*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种进行等离子体化学汽相淀积(PCVD)的装置,通过这种装置可以将一层或多层氧化硅淀积在一个细长的玻璃质衬底上,该装置包括一个细长的微波波导体,微波波导体延伸至一个谐振腔,谐振腔大致围绕一圆筒轴呈圆筒状对称,衬底可以沿此圆筒轴放置,在该装置中:谐振腔大体为环形,它具有内圆筒壁和外圆筒壁;内圆筒壁包括一个狭缝,狭缝在围绕圆筒轴的整个圆周中延伸;波导体具有一纵轴,纵轴大致垂直于圆筒轴并且与狭缝不相交。本发明还涉及采用所述装置制造光纤、预制棒和套管的方法以及由此得到的光纤。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 化学 汽相淀积 装置 制造 光纤 预制 套管 方法 以及 由此 | ||
【主权项】:
1.一种进行等离子体化学汽相淀积的装置,通过这种装置可以将一层或多层氧化硅淀积在一个细长的玻璃质衬底上,该装置包括一个细长的微波波导体,微波波导体延伸至一个谐振腔,谐振腔围绕一圆筒轴呈圆筒状对称,衬底可以沿此圆筒轴放置,其中谐振腔为环形,它具有内圆筒壁和外圆筒壁;内圆筒壁包括一个狭缝,狭缝在围绕圆筒轴的整个圆周中延伸;波导体具有一纵轴,纵轴垂直于圆筒轴并且与狭缝不相交,其特征在于:均在平行于圆筒轴的方向上测量的狭缝的宽度W和谐振腔的长度L满足关系式:W≤L/10。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的