[发明专利]UV基片加热和光化学的设备无效
| 申请号： | 98814315.1 | 申请日： | 1998-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1155990C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | R·T·费菲尔德;B·施瓦布 | 申请（专利权）人： | FSI国际股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的装置提供UV源既加热衬底和促进衬底处理所必需的光化学的两种用途。本发明还提供一种处理衬底的方法，通过第一功率电平的UV辐射使衬底加热到环境温度以上的温度，并在出现第二功率电平的UV辐射时，通过把衬底暴露在光化学(UV)反应化合物或能够与衬底表面上复合物起作用的反应化合物中而形成光化学反应复合物。 | ||
| 搜索关键词： | uv 基片加 热和 光化学 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于在具有前侧和后侧的衬底上执行UV加热和光处理步骤的装置，所述装置包括：用于容纳和保持衬底的反应箱，该反应箱包括前侧和后侧；被配置成直接辐射在衬底上的至少一个宽光谱UV辐射源，这里所述辐射源将波长从0.1累计到1.0微米的至少为0.3瓦/厘米2的总辐射功率释放到衬底的至少一部分；以及控制系统，用于控制至少一个UV辐射源以提供至少两种不同时间平均的能量电平的UV输出，一个加热电平对诱发衬底的加热有效以及一个光化学电平对诱发所述光处理有效。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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