[发明专利]非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法无效
申请号: | 99100087.0 | 申请日: | 1999-01-08 |
公开(公告)号: | CN1117982C | 公开(公告)日: | 2003-08-13 |
发明(设计)人: | 陈诺夫;林兰英;王玉田;何宏家;钟兴儒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01N23/20 | 分类号: | G01N23/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量晶格常数后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa’=a’-a’0其中,a’0=5.431058为硅单晶的标准晶格常数;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的单晶晶格常数:a=am-Δa’,am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。 | ||
搜索关键词: | 破坏性 定量 检测 砷化镓单晶 化学 配比 方法 | ||
【主权项】:
1、一种非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法,其特征在于:利用X射线双晶衍射仪精密测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯11个“9”、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量砷化镓单晶片的晶格常数之后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa′=a′-a′0其中,a′0=5.431058为硅单晶的标准晶格常数;a′为标准硅单晶片的晶格常数测量值;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的砷化镓单晶晶格常数:a=am-Δa′其中am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。
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