[发明专利]非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法无效

专利信息
申请号: 99100087.0 申请日: 1999-01-08
公开(公告)号: CN1117982C 公开(公告)日: 2003-08-13
发明(设计)人: 陈诺夫;林兰英;王玉田;何宏家;钟兴儒 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量晶格常数后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa’=a’-a’0其中,a’0=5.431058为硅单晶的标准晶格常数;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的单晶晶格常数:a=am-Δa’,am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。
搜索关键词: 破坏性 定量 检测 砷化镓单晶 化学 配比 方法
【主权项】:
1、一种非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法,其特征在于:利用X射线双晶衍射仪精密测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯11个“9”、无位错硅单晶片为标准样品,每次测量砷化镓单晶片的晶格常数之后,测量标准样品的晶格常数,计算仪器误差:Δa′=a′-a′0其中,a′0=5.431058为硅单晶的标准晶格常数;a′为标准硅单晶片的晶格常数测量值;按下式消除仪器的测量误差,得到准确的砷化镓单晶晶格常数:a=am-Δa′其中am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99100087.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top