[发明专利]头穴植入金磁体永磁作用治疗脑萎缩无效
| 申请号： | 99100100.1 | 申请日： | 1999-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1260216A | 公开（公告）日： | 2000-07-19 |
| 发明（设计）人： | 耿殿林 | 申请（专利权）人： | 耿殿林 |
| 主分类号： | A61N2/10 | 分类号： | A61N2/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255008 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明所属技术领域为医学脑病,即要克服头穴针刺和旋磁治疗不能长久持续应用的缺点,而又必须具备二者疗效特点。主要技术特征采用头穴植入金磁体方式,永磁作用治疗脑萎缩,以永恒的穴位物理磁能(及其他未定场能)治疗,即起到头穴针刺样的作用机理和效果,又发挥物理永磁疗效。产生增加脑血循环,疏通经络,活化脑细胞等作用,用于对脑萎缩病的治疗。 | ||
| 搜索关键词： | 植入 磁体 永磁 作用 治疗 萎缩 | ||
【主权项】：
1.本发明的主要技术特征是，采用头穴植入金磁体方式，其永磁作用治疗脑萎缩及其相关疾病；
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