[发明专利]交换耦联薄膜及制造方法,磁阻效应装置及磁阻效应头有效
| 申请号： | 99100206.7 | 申请日： | 1999-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1112675C | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 榊间博;广田荣一;川分康博;里见三男;杉田康成 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(∴·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 交换 薄膜 制造 方法 磁阻 效应 装置 | ||
【主权项】：
1、一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97：t=(Ra+Ro)/(2·(Rb+Ro))其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。
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