[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 99100526.0 | 申请日： | 1999-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1144273C | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 小田典明 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/265;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，其具有：衬底；衬底上的半导体区；形成在半导体区整个表面上的，由Co-Si合金层组成的硅化物层；形成在衬底上的层间介质膜，层间介质膜具有露出部分硅化物层的接触孔；形成在接触孔内部，并且直接与硅化物层接触的阻挡层，阻挡层包括Ti；其中在从接触孔中露出的硅化物层的所说部分上，选择性地形成由Co-Si-Ti合金层组成的富硅硅化物层。还公开了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上选择地形成给定导电类型的半导体区；在半导体区的整个表面上形成Co-Si合金层；在Co-Si合金层的整个表面或部分中掺入Si；在部分Co-Si合金层中形成含Ti层；及对衬底进行热处理，形成含有使接触电阻极大减小的硅量的富硅硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；形成于所说衬底上的半导体区；形成在所说半导体区整个表面上的，由Co-Si合金层组成的硅化物层；形成在所说衬底上的层间介质膜，所述层间介质膜具有露出部分所说硅化物层的接触孔；形成在所说接触孔内部，并且直接与所说硅化物层接触的阻挡层，所说阻挡层包括Ti；其中在从所说接触孔中露出的所说硅化物层的所说部分上，选择性地形成由Co-Si-Ti合金层组成的富硅硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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