[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：第一步骤，在第一导电型的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；第二步骤，在栅极绝缘膜上形成下电极；第三步骤，在下电极和栅极绝缘膜的两侧区域的半导体衬底的表面上掺杂第二导电型杂质，从而形成源极和漏极；第四步骤，在下电极上形成保护膜；第五步骤，在源极和漏极上形成硅化物层；第六步骤，除去保护膜，随后形成具有T形截面以与下电极露出的上表面接触的上电极，从而形成包括上电极和下电极的浮置栅；第七步骤，形成隔离绝缘膜以覆盖上电极；和第八步骤，通过隔离绝缘膜在浮置栅上形成控制栅。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括：第一步骤，在第一导电型的半导体衬底(101)上形成栅极绝缘膜(103)；第二步骤，在所述栅极绝缘膜上形成下电极(104a)；第三步骤，在所述下电极和所述栅极绝缘膜的两侧区域的所述半导体衬底的表面上掺杂第二导电型杂质，从而形成源极(107)和漏极(108)；第四步骤，在所述下电极上形成保护膜(109)；第五步骤，在所述源极和漏极上形成硅化物层(110a、110b)；第六步骤，除去所述保护膜，随后形成具有T形截面以与所述下电极露出的上表面接触的上电极，从而形成包括所述上电极和下电极的浮置栅(104)；第七步骤，形成隔离绝缘膜(112)以覆盖所述上电极；和第八步骤，通过所述隔离绝缘膜在所述浮置栅上形成控制栅(113)。