[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 99100799.9 | 申请日： | 1999-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1227388A | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | 芹泽健一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器包括存储器单元阵列，读出/写入控制电路，信号发生器，和写入错误防止电路。在存储器单元阵列中，在多个字线和位线的交点上形成多个存储器单元。根据表示读出/写入模式的模式设定信号、数据输入信号和地址信号，读出/写入控制电路控制从存储器单元阵列中读出数据/将数据写入存储器单元阵列。当模式设定信号表示写入模式时，信号发生器产生单脉冲信号。写入错误防止电路利用来自信号发生器的单脉冲信号对存储器单元阵列的位线预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1．半导体存储器，其特征在于包括：存储器单元阵列(101)，在该存储器单元阵列中，在多个字线(Wn)和位线(Dn、/Dn)的交点上形成多个存储器单元(M1-M12)；读出/写入控制电路(103-108)，根据表示读出/写入模式的模式设定信号(/WO)、数据输入信号(I/O)和地址信号(ADD)，控制从所述存储器单元阵列读出的数据/写入所述存储器单元阵列的数据；信号发生器(111)，当模式设定信号表示写入模式时，产生单脉冲信号；和写入错误防止电路(110)，利用来自所述信号发生器的单脉冲信号预充电所述存储器单元阵列的位线。
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