[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半球形晶粒状HSG下电极及其制备方法，提供一种电容器，其中包括：多晶硅下电极、介电膜、上电极，制备该电容器至少包括以下步骤：在下电极上形成一层半球形晶粒HSG硅，其中每个HSG在与下电极相接触的一面都具有一个直径较小的颈部；沉积一层硅膜，通过充填上述硅层的颈部外围与HSG之间的间隙来覆盖住上述HSG，同时保留所形成的HSG的不平整形状；形成介电膜；形成上电极。

主权项

1.一种半导体器件，包括半球形晶粒HSG电极，该电极具有硅层和形成在硅层上的半球形硅晶粒，电极的特征在于：所述硅晶粒具有一个第一直径在与上述硅层相接触面部分变小的颈部，覆盖上述硅晶粒并充填了上述颈部与硅层之间空隙的硅膜，同时保留了硅晶粒的不平整，颈部被上述硅膜覆盖形成第二直径，第二直径比用上述硅膜覆盖形成的硅晶粒的最大直径要小。