[发明专利]光致抗蚀剂材料和用由其构成抗蚀图形的半导体装置制法无效
申请号: | 99100817.0 | 申请日: | 1999-02-23 |
公开(公告)号: | CN1093645C | 公开(公告)日: | 2002-10-30 |
发明(设计)人: | 山名慎治 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | G03F7/038 | 分类号: | G03F7/038 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 黄永奎 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明为提供一种在化学放大负型光致抗蚀剂中兼具有抑制稀疏与致密尺寸差和侧壁凹凸少的光致抗蚀剂形状的光致抗蚀剂图形,使用将分子量为100-1000、产生扩散距离为30-60nm酸的光致酸产生剂,与分子量为100-1000、产生扩散距离为10-30nm酸的光致酸产生剂以摩尔比5-95%的比例混合,光致酸产生剂的总量为树脂量百分比1-15%的光致抗蚀剂材料。 | ||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 材料 构成 图形 半导体 装置 制法 | ||
【主权项】:
1.一种光致抗蚀剂材料,其特征是将分子量为100-1000、产生扩散距离为30-60nm酸的第二光致酸产生材料与分子量为100-1000、产生扩散距离为10-30nm酸的第一光致酸产生剂以摩尔比5-95%的比例混合,光致酸产生剂的总量为树脂量百分比1-15%;所述第一光致酸产生剂是由鎓盐系光致酸产生剂或非鎓盐系光致酸构成,所述第二光致酸产生剂是由鎓盐系光致酸产生剂构成;或者所述第一光致产生剂是由鎓盐系光致酸产生剂构成,而所述第二光致酸产生剂是由非鎓盐系光致酸产生剂构成;并且,所述的第一光致酸产生剂,作为鎓盐系,其组成至少有下列一种:三苯基锍甲苯磺酸盐、三苯基锍-4-甲基环己烷基磺酸盐、二苯基碘鎓甲苯磺酸盐、二苯基碘鎓-4-甲基环己烷基磺酸盐;作为非鎓盐系,其组成至少有下列一种:N-甲苯磺酸盐-5-降冰片烯-2,3-二羧基酰亚胺、邻苯二甲酰亚胺甲苯磺酸盐、邻苯二甲酰亚胺-4-甲基环己烷基磺酸盐、萘二甲酰亚胺甲苯磺酸盐、萘二甲酰亚胺-4-甲基环己烷基磺酸盐;所述第二光致酸产生剂,作为鎓盐系,其组成至少有下列一种:三苯基锍三氟甲烷磺酸盐、三苯基锍甲烷磺酸盐、三苯基碘鎓三氟甲烷磺酸盐、二苯基碘鎓甲烷磺酸盐;作为非鎓盐系,其组成至少有下列一种:N-三氟甲烷磺酸盐-5-降冰片烯-2,3-二羧基酰亚胺、邻苯二甲酰亚胺三氟甲烷磺酸盐、邻苯二甲酰亚胺甲烷磺酸盐、萘二甲酰亚胺三氟甲烷磺酸盐、萘二甲酰亚胺甲烷磺酸盐。
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