[发明专利]金电极表面积和表面覆盖度的测量方法无效

专利信息
申请号: 99101112.0 申请日: 1999-01-07
公开(公告)号: CN1136435C 公开(公告)日: 2004-01-28
发明(设计)人: 赵健伟;牛利;董绍俊 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: G01B21/28 分类号: G01B21/28
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 曹桂珍
地址: 130022吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于金电极表面积和表面覆盖度的测量方法,采用以下步骤进行:用石英重蒸水、分析纯的CuSO4、H2SO4配成表征溶液;将处理清洁的金电极在上述溶液中浸泡2分钟,然后进行循环电位扫描;铜在金电极上发生欠电位沉积而形成单分子层铜,由下式计算:A=Q0/Qa其中A为电极面积,Q0为铜欠电位沉积峰的积分电量,Qa=0.44mC/cm2为在单位面积上铜欠电位沉积过程中的积分电量;用大量的水冲洗电极表面,恢复电极本身的清洁状态。
搜索关键词: 电极 表面积 表面 覆盖 测量方法
【主权项】:
1.一种金电极表面积的测量方法,其特征在于采用以下3个步骤进行:(1)表征液的配置在实验室环境下,用石英重蒸水、分析纯的CuSO4、H2SO4配成0.2mol/LCuSO4+0.1mol/L H2SO4溶液;(2)铜离子在金电极上的欠电位沉积将处理清洁的金电极在上述溶液中浸泡2分钟以达到平衡,然后进行循环电位扫描,扫描速度为100V/s,电位扫描区间为0.65V-0.1V vs.Ag/AgCl,起始电位为0.65V,记录扫描的初始2周;(3)电极表面积的确定在上述条件下,铜在金电极上发生欠电位沉积而形成单分子层铜,并且溶出峰电量与电极表面积有严格的对应关系,实际测量中光滑的多晶金电极近似按单晶Au(111)面来处理,在此基础上电极面积可以由下式计算:A=Q0/Qa其中A为电极面积,Q0为铜欠电位沉积峰的积分电量,Qa=0.44mC/cm2为在单位面积上铜欠电位沉积过程中的积分电量。
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