[发明专利]用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器无效
| 申请号： | 99101258.5 | 申请日： | 1999-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1127124C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 马西斯·伊尔格;理查德·L·克莱纳;滩原壮一;罗纳德·W·努内兹;克劳斯·彭纳;克劳斯·罗特纳;拉西卡·斯里尼瓦桑;杉本茂树 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;西门子公司;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/76;H01L21/308;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用BSG在半导体衬底上形成沟槽的改进方法，包括：(a)提供半导体衬底；(b)在该衬底上施加硼硅(酸盐)玻璃(BSG)的共形层；(c)在BSG层上形成已制作图形的光致抗蚀层，暴露光致抗蚀层下面的部分底层；(d)穿透所述底层的暴露部分和光致抗蚀层与半导体衬底之间的所有其它各层进行各向异性蚀刻并进入半导体衬底，由此在半导体衬底上形成沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 硬掩模 制作 沟槽 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底上形成沟槽的方法，该方法包括：(a)提供半导体材料衬底；(b)在该衬底上施加硼硅酸盐玻璃的共形层；(c)在硼硅酸盐玻璃层上形成已制作图形的光致抗蚀层，暴露光致抗蚀层下面的部分底层；(d)穿透所述底层的暴露部分和所述光致抗蚀层和半导体衬底之间的所有其它各层进行各向异性蚀刻并进入半导体衬底，由此在半导体衬底上形成沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司;西门子公司;株式会社东芝，未经国际商业机器公司;西门子公司;株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99101258.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
