[发明专利]具有浮动栅极的金属氧化物半导体晶体管的参考电压发生电路无效
| 申请号： | 99101709.9 | 申请日： | 1999-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1228597A | 公开（公告）日： | 1999-09-15 |
| 发明（设计）人： | 顺藤直昭 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有浮动栅极MOS晶体管的参考电压发生电路。参考电压发生电路具有第一和第二MOS晶体管,借助于电流镜电路使基本相同的电流在其上流动。在第一和第二MOS晶体管的阈值电压之间的差电压从第一晶体管的源极作为参考电压而加上。第一和第二晶体管的结构包括浮动栅极,并且通过设定注入浮动栅极的电荷量而可将阈值电压设为任何值。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浮动 栅极 金属 氧化物 半导体 晶体管 参考 电压 发生 电路 | ||
【主权项】：
1．一种参考电压发生电路，其特征在于包括：具有浮动栅极且其栅极和漏极连在一起的第一MOS晶体管，用于产生作为参考电压的源电压；其栅极与漏极连在一起且具有不同于所述第一MOS晶体管的阈值电压的第二MOS晶体管；以及电流镜电路，能使基本在同样水平的电流在所述第一和第二MOS晶体管中流动。
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