[发明专利]半导体衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 99101758.7 | 申请日： | 1999-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1145200C | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 秋野丰;阿闭忠司 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/265;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制作半导体衬底的方法，通过除去半导体衬底的外周末端部分，以便使绝缘层的外周末端位于半导体层的外周末端与支承件的外周末端之间，从而该半导体层与绝缘层产生阶梯状外形，能有效地防止在绝缘层和半导体的部分中发生碎裂现象和产生碎片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体衬底，包括支承件；配置在该支承件上的绝缘层和配置在该绝缘层上的半导体层，其中：所述半导体层的外周末端位于所述支承件外周末端的内侧，和所述绝缘层的外周末端位于所述半导体层的外周末端与所述支承件的外周末端之间，使得包括所述绝缘层和所述半导体层的半导体衬底外周部分出现阶梯状的外形，其特征在于所述半导体层外周末端的底部与所述绝缘层外周末端的顶部之间的偏离不小于2微米，以及在于所述绝缘层在外周部分的上表面上边具有一台阶，且该外周部分的侧表面倾斜角不大于45°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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