[发明专利]使用自旋阀磁头的存储装置无效

专利信息
申请号: 99101788.9 申请日: 1999-02-10
公开(公告)号: CN1138256C 公开(公告)日: 2004-02-11
发明(设计)人: 富田勇;越川誉生;星野敏规;中村直;金井均;上野博秋 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/09 分类号: G11B5/09;G11B5/29
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 当钉扎层磁场偏移判断单元判断读出电流以干扰方向流过的自旋开关磁头的钉扎层中的磁场已偏离正常方向时,恢复处理单元恢复磁场偏移产生的异常。例如,把读出电流的方向从干扰方向切换到辅助方向,并使比正常读操作时大的读出电流流动,以使反铁磁层的温度超过阻挡温度,以此有读出电流产生的磁场作用将钉扎层中的磁场方向改变到正常方向。改变后,读出电流返回其在干扰方向的正常值。
搜索关键词: 使用 自旋 磁头 存储 装置
【主权项】:
1.一种装配有多个磁头的存储装置,每个磁头有已集成在该磁头中的 一个读磁头和一个写磁头,所述读磁头包括一个具有多层结构的自旋阀磁 头,该多层结构包括一层反铁磁层、一层钉扎层、一层非磁性层和一层自 由层,所述自旋阀磁头响应以外部磁场形式施加的介质的记录磁场,从磁 阻中的变化电读取记录信息,其中使读出电流以干扰方向流经自旋阀磁头 以引起与所述钉扎层中的磁场方向相反的磁场,所述存储装置包括: 一个钉扎层磁场偏移判断单元,当断定存在由所述自旋阀磁头的所述 钉扎层中的磁场偏移引起的预定异常时,钉扎层磁场偏移判断单元使所述 读出电流方向反向,如果由此消除了所述预定异常,则断定所述钉扎层中 已出现磁场偏移;和 一个恢复处理单元,当所述钉扎层磁场偏移判断单元已断定所述钉扎 层中已出现磁场偏移时,该恢复处理单元用于处理从由磁场中的所述偏移 产生的异常的恢复,其中根据下列情形之一来判断异常: 1)当不再能检测到所述记录介质上记录的伺服标记时,所述钉扎层 磁场偏移判断单元判断因所述钉扎层中的磁场偏移而出现所述异常,和其 中所述钉扎层磁场偏移判断单元使所述读出电流的方向反向,如果因此而 能够检测到所述伺服标记,则断定所述钉扎层中已出现磁场偏移; 2)所述钉扎层磁场偏移判断单元将所述自旋阀磁头的输出电平与其 初始值比较,如果差值在预定范围内,则判断所述钉扎层中已因磁场偏移 而出现所述异常; 3)所述钉扎层磁场偏移判断单元测量所述自旋阀磁头读取信号的垂 直不对称性,如果所述垂直不对称性和其初始值之间的差值已超过某一范 围,则判断所述钉扎层中已因磁场偏移而出现所述异常; 4)当从所述自旋阀磁头的读取信号解调的读取数据的误差率已超过 预定限制值时,所述钉扎层磁场偏移判断单元断定所述钉扎层中已因磁场 偏移而出现所述异常。
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