[发明专利]星用辐射效应探测器无效
| 申请号： | 99102022.7 | 申请日： | 1999-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1125350C | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 范隆;任迪远;严荣良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 主分类号： | G01T1/00 | 分类号： | G01T1/00;H01L31/00;G01R31/303 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830011 新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 一种与卫星上数据采集系统配套使用，检测粒子辐射对CMOS集成电路影响的星用CMOS辐射效应探测器，能完成对电离辐射敏感的CMOS4007双互补对加反相器电路N沟管阈电压值检测。主要由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测CMOS4007双互补对加反相器组成，采用星上数据采集系统给出一路测量启动脉冲控制，按时序对两片CMOS4007双互补对加反相器中6个N沟MOS管阈电压依次测量，输出模拟电压信号送至星上数据采集系统的模数转换器ADC0816。该探测器具有功耗低，可靠性高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 效应 探测器 | ||
【主权项】：
1、一种与星上数据采集系统配套使用，用于检测电离辐射对CMOS集成电路影响的星用CMOS辐射效应探测器，能完成对两片CMOS4007双互补对加反相器中6个N沟MOS管阈电压检测，其特征在于，该探测器是由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测CMOS4007双互补对加反相器组成，其中测量控制电路、恒流源电路和电压输出接口电路分别与被测器件CMOS4007双互补对加反相器连接。
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