[发明专利]单片线性光耦合器及其制造方法无效
| 申请号： | 99102167.3 | 申请日： | 1996-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1227401A | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | 戴维·惠特尼 | 申请（专利权）人： | 西门子微电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18;H01L31/173 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造单片半导体结构的方法包括在一n型硅晶片之内蚀刻多个沟道；把n型材料扩散到晶片中，以形成N+层；在N+层上形成第一氧化物层；将硅材料沉积在所获得的结构上，以填充沟道，并提供机械稳定性；从形成沟槽一侧的相对侧研磨硅晶片，使得N+层的部分被暴露；利用多个介电绝缘的槽，形成多个P+区域，以覆盖N+层的暴露的部分；在各P+区域上添加第二氧化物层；以及添加基底。本发明还涉及一种器件。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 线性 耦合器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造单片半导体结构的方法，其特征在于，它包括以下步骤：(a)在一n型硅晶片之内蚀刻多个沟道；(b)把n型材料扩散到所述晶片中，以形成N+层；(c)在所述N+层上形成第一氧化物层；(d)将硅材料沉积在所获得的结构上，以填充所述各沟道，并提供机械稳定性；(e)从形成沟槽一侧的相对侧研磨所述硅晶片，使得所述N+层的部分被暴露；(f)利用多个介电绝缘的槽，形成多个P+区域，以覆盖所述N+层的所述各暴露的部分；(g)在所述各P+区域上添加第二氧化物层；以及(h)在所述第二氧化层上添加基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
