[发明专利]硅片保持体及其制造方法有效
| 申请号： | 99102471.0 | 申请日： | 1999-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1163955C | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 汤盐泰久;仲田博彦;夏原益宏 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;B25B11/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种层叠多个氮化铝陶瓷衬底与高熔点金属层和粘附层而获得硅片保持体及其制造方法，该氮化铝陶瓷衬底包括3a族元素化合物，剩余部分为氮化铝(AlN)，3a族元素占重量的0.01到1％。其中AlN晶体的平均颗粒大小为从2到5μm。材料粉末混合，模制，在非氧化气氛下1600到2000℃下焙烧，形成衬底，而后层叠多个衬底，其间插入高熔点金属层和粘附层，在上述气氛中1500到1700℃下焙烧层叠体以及修整，制成保持体。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 保持 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于以静电保持硅片保持体，该保持体包括由与高熔点金属层和粘附层叠层的氮化铝陶瓷构成的多个衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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