[发明专利]具有硅化物层的半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件，该半导体器件即使被进一步小型化，在器件部分中的MOSFET也能够高速工作同时可抑制在另一器件部分中的MOSFET电流泄漏。该器件包括：半导体衬底；限定在衬底上的第一部分；限定在衬底上的第二部分；和覆盖第一部分而不覆盖第二部分的电介质掩模层。第一部分包括第一MOSFET，第一MOSFET具有第一成对的源区和漏区、形成于衬底上的第一栅绝缘层和形成于第一栅绝缘层上的第一栅极。在各第一成对的源区和漏区中不包括硅化物层。

主权项

1.半导体器件，包括：半导体衬底；限定在所述衬底上的第一部分；限定在所述衬底上的第二部分；覆盖所述第一部分而不覆盖所述第二部分的电介质掩模层；所述第一部分包括第一MOSFET，第一MOSFET具有第一成对的源区和漏区、形成于所述衬底上的第一栅绝缘层和形成于所述第一栅绝缘层上的第一栅极；在各所述第一成对的源区和漏区中不包括硅化物层；用所述掩模层覆盖所述第一MOSFET，使所述第一MOSFET的所述第一成对的源区和漏区与所述掩模层接触；所述第二部分包括第二MOSFET，第二MOSFET具有第二成对的源区和漏区、形成于所述衬底上的第二栅绝缘层和形成于所述第二栅绝缘层上的第二栅极；和包括在各所述第二成对的源区和漏区中的硅化物层。