[发明专利]光记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 99102899.6 | 申请日： | 1999-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN1146890C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 安孙子透;宫田一智 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有足够的重复记录耐久性的光学记录介质及其制造方法。第一绝缘层2设置在基底1的主表面1a上，在第一绝缘层2上形成记录层5，所述记录层5由具有不同初始结晶温度的第一层薄膜3和第二层薄膜4的两层薄膜构成。然后依次形成第二绝缘层6、反射层7和保护层8。第一层薄膜3或第二层薄膜4的其中之一优选地含有氮或氧。更理想的是紧靠基底1的第一层薄膜3含有氮或氧。第一层薄膜3和第二层薄膜4的初始结晶温度的差别为20℃或更高。更理想的是紧靠基底1的第一层薄膜3的初始结晶温度比第二层薄膜4高20℃或更高。第一层薄膜3和第二层薄膜4的厚度理想地各为3nm或更多。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光学记录介质，其中在基底上至少设置有第一绝缘层、记录层、第二绝缘层和反射层，其中所述记录层可从晶体状态向非晶体状态、或从非晶体状态向晶体状态可逆地变化，以记录和/或清除信息；其中所述记录层由具有不同初始结晶温度的两层薄膜构成，并且所述记录层的两层薄膜中紧靠基底的薄膜的初始结晶温度比另一层薄膜高20℃或更高。
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